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SP8510KN	文件：167.57 Kbytes Page：12 Pages	12-BitSamplingA/DConverters DESCRIPTION… TheSP85XXSeriesarecomplete12-bitsamplingA/Dconvertersusingstate–of–the–artCMOSstructures.Theycontainacomplete12–bitsuccessiveapproximationA/Dconverterwithinternalsample/hold,reference,clock,digitalinterfaceformicroprocessorcontrol,andthree–stateoutpu	SipexSipex Corporation 西伯斯西伯斯公司	Sipex
SP8510KS	文件：167.57 Kbytes Page：12 Pages	12-BitSamplingA/DConverters DESCRIPTION… TheSP85XXSeriesarecomplete12-bitsamplingA/Dconvertersusingstate–of–the–artCMOSstructures.Theycontainacomplete12–bitsuccessiveapproximationA/Dconverterwithinternalsample/hold,reference,clock,digitalinterfaceformicroprocessorcontrol,andthree–stateoutpu	SipexSipex Corporation 西伯斯西伯斯公司	Sipex
TCP8510	文件：82.7 Kbytes Page：1 Pages	MouldedTypeStraightPlugs	HOSIDEN Hosiden Corporation	HOSIDEN
TDA8510	文件：82.88 Kbytes Page：16 Pages	26WBTLand2x13WSEpoweramplifiers	PhilipsPhilips Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
TDA8510J	文件：82.88 Kbytes Page：16 Pages	26WBTLand2x13WSEpoweramplifiers	PhilipsPhilips Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
TPCP8510	文件：218.37 Kbytes Page：5 Pages	TransistorSiliconNPNEpitaxialType High-Speed,High-VoltageSwitchingApplications DC-DCConverterApplications •HighDCcurrentgain:hFE=120to300(IC=0.1A) •Lowcollector-emittersaturation:VCE(sat)=0.14V(max) •High-speedswitching:tf=0.2μs(typ)	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社东芝	TOSHIBA
TPCP8510	文件：1.58274 Mbytes Page：73 Pages	BipolarSmall-SignalTransistors MOSGT30F12630F12630A/330VIGBTTO-220F Toshiba30F126GT30F126 Referencesite:http://monitor.net.ru/forum/30f126-info-494727.html ReferencePDF(30F124,30F125,30F127,30F128,30F131) :http://pdf.datasheetbank.com/pdf/Toshiba/190505.pdf	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社东芝	TOSHIBA
TS8510VB	文件：87.85 Kbytes Page：4 Pages	SpecificationofHighPowerIREmittingDiodeChip	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
TS8510VB	文件：89.42 Kbytes Page：4 Pages	SpecificationofHighPowerIREmittingDiodeChip DESCRIPTION TS8510VBisahighpowerinfrared,855nmsurfaceemitting diodeinGaAlAstechnologywithhighradiantpowerand highspeed.Polarityconfigurationis“n-up”. FEATURES •Packagetype:chip •Packageform:singlechip •Technology:surfaceemitter •Dimensionschip(LxWxH	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
TS8510VB	文件：88.89 Kbytes Page：4 Pages	SpecificationofHighPowerIREmittingDiodeChip DESCRIPTION TS8510VBisahighpowerinfrared,855nmsurfaceemitting diodeinGaAlAstechnologywithhighradiantpowerand highspeed.Polarityconfigurationis“n-up”.  GENERALINFORMATION ThedatasheetisbasedonVishayoptoelectronicssampletestingundercertainpredeterminedanda	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay

详细参数

型号：
PM-8510
制造商：
PMI
制造商全称：
PMI
功能描述：
10/100 Base-TX ISOLATION TRANSFORMERS WITH FILTERS

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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