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RTM2302CX	文件：187.22 Kbytes Page：4 Pages	20VN-ChannelEnhancementModeMOSFET Features ◇Advancedtrenchprocesstechnology ◇Highdensitycelldesignforultralowon-resistance ◇Excellentthermalandelectricalcapabilities ◇CompactandlowprofileSOT-23package	SIRECTSirectifier Global Corp. 矽莱克半导体深圳市矽莱克半导体有限公司	SIRECT
SBB-2302	文件：85.86 Kbytes Page：2 Pages	Perma-Seal??PiggybackQuickDisconnect,Tab6.35mm(.250	MOLEX4Molex Electronics Ltd. 莫仕	MOLEX4
SE2302	文件：388.95 Kbytes Page：4 Pages	SOT-23Plastic-EncapsulateMOSFETS	WILLASWILLAS ELECTRONIC CORP 威伦威伦电子股份有限公司	WILLAS
SE2302	文件：567.04 Kbytes Page：9 Pages	ThyristorSurgeSuppressors	LEIDITECHShanghai Leiditech Electronic Technology Co., Ltd 雷卯电子上海雷卯电子科技有限公司	LEIDITECH
SFH2302	文件：230.77 Kbytes Page：6 Pages	SchnellePIN-FotodiodeHighSpeedPIN-Photodiode	OSRAMOSRAM GmbH 艾迈斯欧司朗欧司朗光电半导体	OSRAM
SFH-2302	文件：230.77 Kbytes Page：6 Pages	SchnellePIN-Fotodiode	OSRAMOSRAM GmbH 艾迈斯欧司朗欧司朗光电半导体	OSRAM
SI2302	文件：4.06584 Mbytes Page：4 Pages	20VN-ChannelEnhancementModeMOSFET VDS=20V RDS(ON),Vgs@4.5V,Ids@3.6A	HTSEMIShenzhen Jin Yu Semiconductor Co., Ltd. 金誉半导体深圳市金誉半导体股份有限公司	HTSEMI
SI2302	文件：168.38 Kbytes Page：5 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor Features •Halogenfreeavailableuponrequestbyaddingsuffix-HF •20V,3.0A,RDS(ON)=55mΩ@VGS=4.5V RDS(ON)=82mΩ@VGS=2.5V •HighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON) •Ruggedandreliable •Leadfreeproductisacquired •SOT-23Package •MarkingCode:S2 •Epo	MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半导体股份有限公司	MCC
SI2302	文件：266.42 Kbytes Page：5 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor	MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半导体股份有限公司	MCC
SI2302	文件：832.45 Kbytes Page：3 Pages	Plastic-EncapsulateMOSFETS N-Channel20-V(D-S)MOSFET FEATURE ●TrenchFETPowerMOSFET APPLICATION ●LoadSwitchforPortableDevices ●DC/DCConverter	CHENDAMicrodiode Electronics (Jiangsu) Co.,Ltd. 辰达半导体深圳辰达半导体有限公司	CHENDA

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