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N-channelenhancementmodefield-effecttransistor Description N-channelenhancementmodefield-effecttransistorinaplasticpackageusing TrenchMOS™technology. Productavailability:SI2302DSinSOT23. Features TrenchMOS™technology Veryfastswitching Logiclevelcompatible Subminiaturesurfacemountpackage. | PhilipsPhilips Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦 | Philips | ||
N-ChannelEnhancementMOSFET ■Features ●VDS=20V ●RDS(on)=85mΩ@VGS=4.5V,ID=3.6A ●RDS(on)=115mΩ@VGS=2.5V,ID=3.1A | KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd 科信电子广东科信实业有限公司 | KEXIN | ||
N-channelenhancementmodefield-effecttransistor 1.Description N-channelenhancementmodefield-effecttransistorinaplasticpackageusing TrenchMOS™1technology. Productavailability: SI2302DSinSOT23. 2.Features nTrenchMOS™technology nVeryfastswitching nLogiclevelcompatible nSubminiaturesurfacemountpackage. 3.Applic | NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司 | NEXPERIA | ||
N-ChannelMOSFET ■Features ●VDS=20V ●RDS(on)=85mΩ@VGS=4.5V,ID=3.6A ●RDS(on)=115mΩ@VGS=2.5V,ID=3.1A ●Pb−FreePackageMaybeAvailable.TheG−SuffixDenotesa Pb−FreeLeadFinish | KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd 科信电子广东科信实业有限公司 | KEXIN | ||
N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor Features •Halogenfreeavailableuponrequestbyaddingsuffix-HF •20V,3.0A,RDS(ON)=55mΩ@VGS=4.5V RDS(ON)=82mΩ@VGS=2.5V •HighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON) •Ruggedandreliable •Leadfreeproductisacquired •SOT-23Package •MarkingCode:S2 •Epo | MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半导体股份有限公司 | MCC | ||
SOT-523Plastic-EncapsulateMOSFETS | SKTECHNOLGYSHIKE Electronics 时科广东时科微实业有限公司 | SKTECHNOLGY | ||
N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor | SKTECHNOLGYSHIKE Electronics 时科广东时科微实业有限公司 | SKTECHNOLGY | ||
SOT-323Plastic-EncapsulateMOSFETS | SKTECHNOLGYSHIKE Electronics 时科广东时科微实业有限公司 | SKTECHNOLGY | ||
N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor | SKTECHNOLGYSHIKE Electronics 时科广东时科微实业有限公司 | SKTECHNOLGY | ||
SOT-323Plastic-EncapsulateMOSFETS | SKTECHNOLGYSHIKE Electronics 时科广东时科微实业有限公司 | SKTECHNOLGY |
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