丝印：G1003A；Package：SOT-23；N- Enhancement Mode Field Effect Transistor

文件：1.30935 Mbytes 页数：7 Pages

PJSEMI

平晶半导体

N-Channel Power MOSFET

文件：4.34403 Mbytes 页数：5 Pages

JIANGSU

长电科技

N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET

Features ⚫ High density cell design for ultra low RDS(on) ⚫ Excellent package for good heat dissipation ⚫ VDS= 100V,ID= 2A RDS(on)

文件：896.47 Kbytes 页数：5 Pages

HUIXIN

慧芯电子

N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET

Features ⚫ High density cell design for ultra low RDS(on) ⚫ Excellent package for good heat dissipation ⚫ VDS= 100V,ID= 2A RDS(on)

文件：670.48 Kbytes 页数：5 Pages

HUIXIN

慧芯电子