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CJAC10H02	文件：4.34403 Mbytes Page：5 Pages	N-Channel Power MOSFET 文件：4.34403 Mbytes 页数：5 Pages	JIANGSU 长电科技	JIANGSU
CJAC10H02	文件：300 bytes Page：1 Pages	N-Channel MOSFET	JSCJ 长晶科技	JSCJ
PJM10H02NSA	文件：1.30935 Mbytes Page：7 Pages	N- Enhancement Mode Field Effect Transistor 文件：1.30935 Mbytes 页数：7 Pages	PJSEMI 平晶半导体	PJSEMI
CJC1808	文件：0 bytes Page：0 Pages	TSSOP14	武汉光华芯上传：深圳市瑞卓芯科技有限公司	武汉光华芯
CJC1808	文件：0 bytes Page：0 Pages	全新原装正品现货	武汉光华芯上传：深圳市瑞卓芯科技有限公司	武汉光华芯

技术参数

Process：
Trench
ESDYes/No：
No
VDSV：
20
VGSV：
±12
IDA：
100
VGS(TH)V：
0.5~1.2
RDS(mΩ)@VGS4.5V Typ：
1.5
RDS(mΩ)@VGS4.5V Max：
2
Package：
PDFNWB5×6-8L

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多CJAC10H02供应商更新时间2025-12-11 15:01:00

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