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PJF3NA80_T0_00001	文件：467.25 Kbytes Page：8 Pages	丝印：F3NA80；Package：ITO-220AB-F；800V N-Channel MOSFET Features  RDS(ON), VGS@10V,ID@1.5A 文件：467.25 Kbytes 页数：8 Pages	PANJIT 強茂	PANJIT
PJF4NA50A	文件：394.47 Kbytes Page：8 Pages	500V N-Channel MOSFET Features  RDS(ON), VGS@10V,ID@2A 文件：394.47 Kbytes 页数：8 Pages	PANJIT 強茂	PANJIT
PJF4NA50A_T0_00001	文件：394.47 Kbytes Page：8 Pages	丝印：F4NA50A；Package：ITO-220AB-F；500V N-Channel MOSFET Features  RDS(ON), VGS@10V,ID@2A 文件：394.47 Kbytes 页数：8 Pages	PANJIT 強茂	PANJIT
PJF55N10A	文件：630.5 Kbytes Page：9 Pages	100V N-Channel Enhancement Mode MOSFET Features  RDS(ON), VGS@10V, ID@20A 文件：630.5 Kbytes 页数：9 Pages	PANJIT 強茂	PANJIT
PJF55N10A_T0_00001	文件：630.5 Kbytes Page：9 Pages	丝印：F55N10A；Package：ITO-220AB-F；100V N-Channel Enhancement Mode MOSFET Features  RDS(ON), VGS@10V, ID@20A 文件：630.5 Kbytes 页数：9 Pages	PANJIT 強茂	PANJIT
PJF5N60	文件：193.83 Kbytes Page：5 Pages	600V N-Channel Enhancement Mode MOSFET FEATURES • 5A , 600V, RDS(ON)=2.1Ω@VGS=10V, ID=2.5A • Low ON Resistance • Fast Switching • Low Gate Charge • Fully Characterized Avalanche Voltage and Current • Specially Desigened for AC Adapter, Battery Charge and SMPS • In compliance with EU RoHs 2002/95/EC Directives 文件：193.83 Kbytes 页数：5 Pages	PANJIT 強茂	PANJIT
PJF60R190E	文件：1.06247 Mbytes Page：8 Pages	600V N-Channel Super Junction MOSFET Features  RDS(ON), VGS@10V, ID@10A 文件：1.06247 Mbytes 页数：8 Pages	PANJIT 強茂	PANJIT
PJF60R190E_T0_00001	文件：1.06247 Mbytes Page：8 Pages	丝印：60R190E；Package：ITO-220AB-F；600V N-Channel Super Junction MOSFET Features  RDS(ON), VGS@10V, ID@10A 文件：1.06247 Mbytes 页数：8 Pages	PANJIT 強茂	PANJIT
PJF60R290E	文件：1.08156 Mbytes Page：8 Pages	600V N-Channel Super Junction MOSFET Features  RDS(ON), VGS@10V, ID@6.5A 文件：1.08156 Mbytes 页数：8 Pages	PANJIT 強茂	PANJIT
PJF60R290E_T0_00001	文件：1.08156 Mbytes Page：8 Pages	丝印：60R290E；Package：ITO-220AB-F；600V N-Channel Super Junction MOSFET Features  RDS(ON), VGS@10V, ID@6.5A 文件：1.08156 Mbytes 页数：8 Pages	PANJIT 強茂	PANJIT

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技术参数

组态：
Single
MOS类型：
N
VDS(V)：
700
VGS(V)：
±30
Vth(V)：
2.5/3.5/4.5
RDS(ON)(mΩ)max.at VGS=10V：
830/930
Ciss(pF)：
450
Coss(pF)：
300
Crss(pF)：
5
Qg(nC)_10V：
13
Qgs(nC)：
3
Qgd(nC)：
6
EAS (mJ)：
45
ID(A)_Tc=25℃：
4
ID(A)_Tc=100℃：
2.5
PD(W)_Tc=25℃：
29
ESD Diode：
X
Schokkty Diode：
X

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