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TPS73601DRBT	文件：2.83608 Mbytes Page：51 Pages	丝印：PJFQ；Package：SON；TPS736 Capacitor-Free, NMOS, 400mA, Low-Dropout Regulator With Reverse Current Protection 1 Features • Stable with no output capacitor or any value or type of capacitor • Input voltage range of 1.7V to 5.5V • Ultra-low dropout voltage: 75mV typ • Excellent load transient response—with or without optional output capacitor • NMOS topology delivers low reverse leakage current • L 文件：2.83608 Mbytes 页数：51 Pages	TI 德州仪器	TI
TPS73601DRBTG4	文件：2.83608 Mbytes Page：51 Pages	丝印：PJFQ；Package：SON；TPS736 Capacitor-Free, NMOS, 400mA, Low-Dropout Regulator With Reverse Current Protection 1 Features • Stable with no output capacitor or any value or type of capacitor • Input voltage range of 1.7V to 5.5V • Ultra-low dropout voltage: 75mV typ • Excellent load transient response—with or without optional output capacitor • NMOS topology delivers low reverse leakage current • L 文件：2.83608 Mbytes 页数：51 Pages	TI 德州仪器	TI
TPS73601DRBTG4	文件：2.8023 Mbytes Page：51 Pages	丝印：PJFQ；Package：SON；TPS736 Capacitor-Free, NMOS, 400mA, Low-Dropout Regulator With Reverse Current Protection 1 Features • Stable with no output capacitor or any value or type of capacitor • Input voltage range of 1.7V to 5.5V • Ultra-low dropout voltage: 75mV typ • Excellent load transient response—with or without optional output capacitor • NMOS topology delivers low reverse leakage current • L 文件：2.8023 Mbytes 页数：51 Pages	TI 德州仪器	TI
PJF05N70N	文件：300 bytes Page：1 Pages	MOSFET	Potens 博盛半导体	Potens
PJF08N65N	文件：300 bytes Page：1 Pages	MOSFET	Potens 博盛半导体	Potens
PJF10NA60	文件：300 bytes Page：1 Pages	HV MOSFET	Panjit 強茂	Panjit
PJFPUWM108	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：袋类别：盒子，外壳，机架盒配件描述：FLANGE FOR PJU 10X8 2/PKG	Hammond Manufacturing	Hammond Manufacturing
PJFPUWM1210	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：袋类别：盒子，外壳，机架盒配件描述：FLANGE FOR PJU 12X10 2/PKG	Hammond Manufacturing	Hammond Manufacturing
PJFPUWM1210	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：盒类别：盒子，外壳，机架盒配件描述：FLANGE FOR PJU 12X10 2/PKG	Hammond Manufacturing	Hammond Manufacturing

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技术参数

组态：
Single
MOS类型：
N
VDS(V)：
700
VGS(V)：
±30
Vth(V)：
2.5/3.5/4.5
RDS(ON)(mΩ)max.at VGS=10V：
830/930
Ciss(pF)：
450
Coss(pF)：
300
Crss(pF)：
5
Qg(nC)_10V：
13
Qgs(nC)：
3
Qgd(nC)：
6
EAS (mJ)：
45
ID(A)_Tc=25℃：
4
ID(A)_Tc=100℃：
2.5
PD(W)_Tc=25℃：
29
ESD Diode：
X
Schokkty Diode：
X

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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