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PJD20N06A

60V N-Channel Enhancement Mode MOSFET

文件:401.61 Kbytes 页数:8 Pages

PANJIT

強茂

PJD20N06A

中压MOSFET (60 - 200V , RDS(ON) < 1Ω)

Panjit

強茂

SK20N06A

N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

文件:614.96 Kbytes 页数:5 Pages

SKTECHNOLGYSHIKE Electronics

时科广东时科微实业有限公司

SSD20N06

N-Ch Enhancement Mode Power MOSFET

文件:354.27 Kbytes 页数:4 Pages

SECOS

喜可士

STD20N06

N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE ?쓀LTRA HIGH DENSITY??POWER MOS TRANSISTOR

DESCRIPTION This series of POWER MOSFETS represents the latest development in low voltage technology. The ultra high cell density process (UHD) produced with fine geometries on advanced equipment gives the device extremely low RDS(on) as well as good switching performance and high avalanche ene

文件:174.94 Kbytes 页数:10 Pages

STMICROELECTRONICS

意法半导体

技术参数

  • Polarity:

    N

  • Config.:

    Single

  • VDS[V]:

    60

  • VGS[±V]:

    20

  • ID[A]:

    20

  • RDS(on) Max. (mΩ)[10V]:

    42

  • RDS(on) Max. (mΩ)[4.5V]:

    52

  • Ciss Typ.[pF]:

    711

  • VGS(th) Max.[V]:

    2.5

  • Qg Typ. (nC)[4.5V]:

    14

  • Package:

    TO-252AA

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
PANJIT
22+
TO-252
6000
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PANJIT
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TO-252
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TO-252AA
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国产
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TO-252
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TO-252
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全新原装正品支持含税
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更多PJD20N06A供应商 更新时间2025-10-11 14:02:00