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STD20N06中文资料意法半导体数据手册PDF规格书

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厂商型号

STD20N06

功能描述

N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE ?쓀LTRA HIGH DENSITY??POWER MOS TRANSISTOR

文件大小

174.94 Kbytes

页面数量

10

生产厂商

STMICROELECTRONICS

中文名称

意法半导体

网址

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数据手册

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更新时间

2025-10-11 21:35:00

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STD20N06规格书详情

DESCRIPTION

This series of POWER MOSFETS represents the latest development in low voltage technology. The ultra high cell density process (UHD) produced with fine geometries on advanced equipment gives the device extremely low RDS(on) as well as good switching performance and high avalanche energy capability.

■ TYPICAL RDS(on) = 0.026 Ω

■ AVALANCHE RUGGED TECHNOLOGY

■ 100 AVALANCHE TESTED

■ REPETITIVE AVALANCHE DATA AT 100oC

■ HIGH CURRENT CAPABILITY

■ 175oC OPERATING TEMPERATURE

■ HIGH dV/dt RUGGEDNESS

■ THROUGH-HOLE IPAK (TO-251) POWER PACKAGE IN TUBE (SUFFIX ”-1”)

■ SURFACE-MOUNTING DPAK (TO-252) POWER PACKAGE IN TAPE & REEL (SUFFIX ”T4”)

APPLICATIONS

■ HIGH CURRENT, HIGH SPEED SWITCHING

■ POWER MOTOR CONTROL

■ DC-DC & DC-AC CONVERTERS

■ SYNCRONOUS RECTIFICATION

产品属性

  • 型号:

    STD20N06

  • 功能描述:

    TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 20A I(D) | TO-252

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
ST
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