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PHT4NQ10T	文件：351.57 Kbytes Page：13 Pages	N-channel enhancement mode field-effect transistor Description N-channelenhancementmodefield-effecttransistorinaplasticpackageusingTrenchMOS™1technology. Features ■TrenchMOS™technology ■Veryfastswitching ■Surfacemountpackage. Applications ■PrimarysideswitchinDCtoDCconverters ■Highspeedlinedriver ■Fastgener	PhilipsNXP Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
PHT4NQ10T	文件：977.41 Kbytes Page：6 Pages	N-Channel 100-V (D-S) MOSFET FEATURES •Halogen-freeAccordingtoIEC61249-2-21Definition •TrenchFET®PowerMOSFETs •175°CMaximumJunctionTemperature •ComplianttoRoHSDirective2002/95/EC	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
PHT4NQ10T	文件：393.85 Kbytes Page：13 Pages	TrenchMOS™ standard level FET 1.Description N-channelenhancementmodefield-effecttransistorinaplasticpackageusing TrenchMOS™technology. Productavailability: PHT4NQ10TinSOT223. 2.Features nTrenchMOS™technology nVeryfastswitching nSurfacemountpackage. 3.Applications nPrimarysideswitchinDCto	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
PHK4NQ10T	文件：620.37 Kbytes Page：9 Pages	N-Channel100V(D-S)MOSFET FEATURES •Halogen-freeAccordingtoIEC61249-2-21 Definition •ExtremelyLowQgdforSwitchingLosses •100RgTested •100AvalancheTested •ComplianttoRoHSDirective2002/95/EC APPLICATIONS •PrimarySideSwitch	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
PHK4NQ10T	文件：84.02 Kbytes Page：7 Pages	N-channelTrenchMOStransistor GENERALDESCRIPTION N-channelenhancementmodefield-effecttransistorinaplasticenvelopeusing’trench’technology. FEATURES •Lowon-stateresistance •Fastswitching •Lowprofilesurfacemountpackage Applications:- •Motorandrelaydrivers •d.c.tod.c.converters	PhilipsNXP Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
PHT4NQ10LT	文件：440.58 Kbytes Page：14 Pages	N-channelTrenchMOSlogiclevelFET 1.1Generaldescription LogiclevelN-channelenhancementmodeField-EffectTransistor(FET)inaplastic packageusingTrenchMOStechnology.Thisproductisdesignedandqualifiedforusein computing,communications,consumerandindustrialapplications. 1.2Featuresandbenefits Lowcond	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
PHT4NQ10LT	文件：977.42 Kbytes Page：6 Pages	N-Channel100-V(D-S)MOSFET FEATURES •Halogen-freeAccordingtoIEC61249-2-21Definition •TrenchFET®PowerMOSFETs •175°CMaximumJunctionTemperature •ComplianttoRoHSDirective2002/95/EC	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
PHT4NQ10LT	文件：347.09 Kbytes Page：13 Pages	N-channelenhancementmodefield-effecttransistor Description N-channelenhancementmodefield-effecttransistorinaplasticpackageusingTrenchMOS™1technology. Productavailability: PHT4NQ10LTinSOT223. Features ■TrenchMOS™technology ■Fastswitching ■Lowon-stateresistance ■Surfacemountpackage ■Logiclevelcompatible.	PhilipsNXP Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips

详细参数

型号：
PHT4NQ10T
制造商：
NXP Semiconductors
功能描述：
MOSFET N CH 100V 3.5A SOT223
功能描述：
MOSFET, N CH, 100V, 3.5A, SOT223
功能描述：
MOSFET, N CH, 100V, 3.5A, SOT223; Transistor
Polarity：
N Channel; Continuous Drain Current
Id：
3.5A; Drain Source Voltage
Vds：
100V; On Resistance
Rds(on)：
0.2ohm; Rds(on) Test Voltage
Vgs：
10V; Threshold Voltage Vgs
Typ：
3V; No. of
Pins：
4;RoHS
Compliant：
Yes
功能描述：
MOSFET N-Channel 100V 3.5A SOT223

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