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PHT4NQ10T中文资料安世数据手册PDF规格书

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厂商型号

PHT4NQ10T

功能描述

TrenchMOS™ standard level FET

文件大小

393.85 Kbytes

页面数量

13

生产厂商

NEXPERIA Nexperia B.V. All rights reserved

中文名称

安世 安世半导体(中国)有限公司

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更新时间

2025-10-7 23:00:00

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PHT4NQ10T规格书详情

1. Description

N-channel enhancement mode field-effect transistor in a plastic package using

TrenchMOS™ technology.

Product availability:

PHT4NQ10T in SOT223.

2. Features

n TrenchMOS™ technology

n Very fast switching

n Surface mount package.

3. Applications

n Primary side switch in DC to DC converters

n High speed line driver

n Fast general purpose switch.

产品属性

  • 型号:

    PHT4NQ10T

  • 功能描述:

    MOSFET TAPE13 PWR-MOS

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性:

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压:

    650 V

  • 闸/源击穿电压:

    25 V

  • 漏极连续电流:

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安装风格:

    Through Hole

  • 封装/箱体:

    Max247

  • 封装:

    Tube

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