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PHT4NQ10LT规格书详情
描述 Description
N-channel enhancement mode field-effect transistor in a plastic package using TrenchMOS™1 technology.
Product availability:
PHT4NQ10LT in SOT223.
特性 Features
■ TrenchMOS™ technology
■ Fast switching
■ Low on-state resistance
■ Surface mount package
■ Logic level compatible.
Applications
■ Primary side switch in DC to DC convertors
■ High speed driver
■ Fast general purpose switch.
产品属性
- 型号：
PHT4NQ10LT
- 功能描述：
MOSFET TAPE13 PWR-MOS
- RoHS：
否
- 制造商：
STMicroelectronics
- 晶体管极性：
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压：
650 V
- 闸/源击穿电压：
25 V
- 漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
- RDS（导通）：
0.014 Ohms
- 配置：
Single
- 安装风格：
Through Hole
- 封装/箱体：
Max247
- 封装：
Tube
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
恩XP |
24+ |
NA/ |
5050 |
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询价 | ||
恩XP |
24+ |
NA/ |
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恩XP |
25+ |
SOT-223 |
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SOT-223 |
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恩XP |
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恩XP |
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SOT223 |
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恩XP |
23+ |
SOT223 |
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