PHT4NQ10T中文资料N-channel TrenchMOS standard level FET数据手册Nexperia规格书
PHT4NQ10T规格书详情
描述 Description
Standard level N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a plastic package using TrenchMOS technology. This product is designed and qualified for use in computing, communications, consumer and industrial applications only.
技术参数
- 型号：
PHT4NQ10T
- 功能描述：
MOSFET TAPE13 PWR-MOS
- RoHS：
否
- 制造商：
STMicroelectronics
- 晶体管极性：
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压：
650 V
- 闸/源击穿电压：
25 V
- 漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
- RDS（导通）：
0.014 Ohms
- 配置：
Single
- 安装风格：
Through Hole
- 封装/箱体：
Max247
- 封装：
Tube
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
恩XP |
20+ |
SOT223 |
3000 |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
询价 | ||
恩XP |
23+ |
SOT-223 |
20000 |
全新原装假一赔十 |
询价 | ||
PHI |
24+ |
SOT223 |
2600 |
原装现货假一赔十 |
询价 | ||
恩XP |
2023+ |
SOT223 |
8800 |
正品渠道现货 终端可提供BOM表配单。 |
询价 | ||
恩XP |
24+ |
N/A |
20000 |
原厂直供原装正品 |
询价 | ||
恩XP |
18+PBF |
SOT-223 |
2045 |
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询价 | ||
PHI |
2025+ |
TO223 |
3875 |
全新原厂原装产品、公司现货销售 |
询价 | ||
NK/南科功率 |
2025+ |
SOT-223 |
986966 |
国产 |
询价 | ||
NEXPERIA/安世 |
20+ |
SOT-223 |
120000 |
原装正品 可含税交易 |
询价 | ||
NEXPERIA/安世 |
24+ |
SOT-223 |
503330 |
免费送样原盒原包现货一手渠道联系 |
询价 |
