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PHT4NQ10LT中文资料N-channel TrenchMOS logic level FET数据手册Nexperia规格书
PHT4NQ10LT规格书详情
描述 Description
Logic level N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a plastic package using TrenchMOS technology. This product is designed and qualified for use in computing, communications, consumer and industrial applications.
技术参数
- 型号：
PHT4NQ10LT
- 功能描述：
MOSFET TAPE13 PWR-MOS
- RoHS：
否
- 制造商：
STMicroelectronics
- 晶体管极性：
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压：
650 V
- 闸/源击穿电压：
25 V
- 漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
- RDS（导通）：
0.014 Ohms
- 配置：
Single
- 安装风格：
Through Hole
- 封装/箱体：
Max247
- 封装：
Tube
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
恩XP |
24+ |
SOT-223 |
6200 |
新进库存/原装 |
询价 | ||
恩XP |
21+ |
SOT223 |
1709 |
询价 | |||
NEXPERIA/安世 |
22+ |
SOT223 |
18000 |
原装正品 |
询价 | ||
恩XP |
25+ |
封装 |
500000 |
源自原厂成本,高价回收工厂呆滞 |
询价 | ||
恩XP |
24+ |
SOT223 |
9600 |
原装现货,优势供应,支持实单! |
询价 | ||
NEXPERIA/安世 |
24+ |
SOT-223 |
503329 |
免费送样原盒原包现货一手渠道联系 |
询价 | ||
恩XP |
18+ |
SOT-223 |
85600 |
保证进口原装可开17%增值税发票 |
询价 | ||
恩XP |
23+ |
SOT223 |
6000 |
原装正品，支持实单 |
询价 | ||
恩XP |
23+ |
N/A |
6000 |
公司只做原装，可来电咨询 |
询价 | ||
PHI |
23+ |
SOT223 |
12300 |
询价 |
