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PHN210	文件：109.1 Kbytes Page：7 Pages	Dual N-channel enhancement mode TrenchMOS transistor GENERALDESCRIPTION DualN-channelenhancementmodefield-effecttransistorinaplasticenvelopeusing’trench’technology. FEATURES •Dualdevice •Lowthresholdvoltage •Fastswitching •Logiclevelcompatible •Surfacemountpackage Applications:- •Motorandrelaydrivers •d.c.to	PhilipsPhilips Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
PHN210	文件：213.25 Kbytes Page：8 Pages	Dual N-channel enhancement mode TrenchMOSTM transistor FEATURES •Dualdevice •Lowthresholdvoltage •Fastswitching •Logiclevelcompatible •Surfacemountpackage GENERALDESCRIPTION DualN-channelenhancement modefield-effecttransistorina plasticenvelopeusing’trench’ technology. Applications:- •Motorandrelaydrivers •	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
PHN210	文件：300 bytes Page：1 Pages	Dual N-channel TrenchMOS intermediate level FET; Dual intermediate level N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a plastic package using TrenchMOS technology. This product is designed and qualified for use in computing, communications, consumer and industrial applications only.\n	NexperiaNexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	Nexperia
PHN210	文件：300 bytes Page：1 Pages	Dual N-channel enhancement mode TrenchMOS transistor;	NXPNXP Semiconductors 恩智浦恩智浦半导体公司	NXP
PHN210T	文件：300 bytes Page：1 Pages	PHN210T - Dual N-channel TrenchMOS intermediate level FET; ·Suitable for high frequency applications due to fast switching characteristics\n·Suitable for logic level gate drive sources\n·Suitable for low gate drive sources\n; Dual N-channel TrenchMOS intermediate level FET - Dual intermediate level N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a plastic package using TrenchMOS technology. This product is designed and qualified for use in computing, communications, consumer and industrial applications only.	NexperiaNexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	Nexperia
PHN210T	文件：438.05 Kbytes Page：14 Pages	Dual N-channel TrenchMOS intermediate level FET 1.1Generaldescription DualintermediatelevelN-channelenhancementmodeField-EffectTransistor(FET)ina plasticpackageusingTrenchMOStechnology.Thisproductisdesignedandqualifiedfor useincomputing,communications,consumerandindustrialapplicationsonly. 1.2Featuresandben	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA

技术参数

Package name：
SO8
Product status：
Production
Channel type：
N
Number of transistors：
2
V_DS [max] (V)：
30
R_DSon [max] @ V_GS = 10 V (mΩ)：
100
R_DSon [max] @ V_GS = 4.5 V (mΩ)：
200
T_j [max] (°C)：
150
I_D [max] (A)：
3.4
Q_GD [typ] (nC)：
0.7
Q_G(tot) [typ] @ V_GS = 10 V (nC)：
6
P_tot [max] (W)：
2
Q_r [typ] (nC)：
55
V_GSth [typ] (V)：
2
Automotive qualified：
N
C_iss [typ] (pF)：
250
C_oss [typ] (pF)：
88
Date：
2011-01-05

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