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PHN210	文件：109.1 Kbytes Page：7 Pages	Dual N-channel enhancement mode TrenchMOS transistor GENERAL DESCRIPTION Dual N-channel enhancement mode field-effect transistor in a plastic envelope using ’trench’ technology. FEATURES • Dual device • Low threshold voltage • Fast switching • Logic level compatible • Surface mount package Applications:- • Motor and relay drivers • d.c. to 文件：109.1 Kbytes 页数：7 Pages	PHI 飞利浦	PHI
PHN210	文件：213.25 Kbytes Page：8 Pages	Dual N-channel enhancement mode TrenchMOSTM transistor FEATURES • Dual device • Low threshold voltage • Fast switching • Logic level compatible • Surface mount package GENERAL DESCRIPTION Dual N-channel enhancement mode field-effect transistor in a plastic envelope using ’trench’ technology. Applications:- • Motor and relay drivers • 文件：213.25 Kbytes 页数：8 Pages	NEXPERIA 安世	NEXPERIA
PHN210	文件：300 bytes Page：1 Pages	Dual N-channel TrenchMOS intermediate level FET Dual intermediate level N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a plastic package using TrenchMOS technology. This product is designed and qualified for use in computing, communications, consumer and industrial applications only.	Nexperia 安世	Nexperia
PHN210	文件：300 bytes Page：1 Pages	Dual N-channel enhancement mode TrenchMOS transistor	恩XP	恩XP
PHN210T	文件：438.05 Kbytes Page：14 Pages	Dual N-channel TrenchMOS intermediate level FET 1.1 General description Dual intermediate level N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a plastic package using TrenchMOS technology. This product is designed and qualified for use in computing, communications, consumer and industrial applications only. 1.2 Features and ben 文件：438.05 Kbytes 页数：14 Pages	NEXPERIA 安世	NEXPERIA
PHN210T	文件：94.2 Kbytes Page：7 Pages	Dual N-channel enhancement mode 文件：94.2 Kbytes 页数：7 Pages	恩XP	恩XP
PHN210T	文件：300 bytes Page：1 Pages	PHN210T - Dual N-channel TrenchMOS intermediate level FET Dual N-channel TrenchMOS intermediate level FET - Dual intermediate level N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a plastic package using TrenchMOS technology. This product is designed and qualified for use in computing, communications, consumer and industrial applications only. ·Suitable for high frequency applications due to fast switching characteristics\n·Suitable for logic level gate drive sources\n·Suitable for low gate drive sources;	Nexperia 安世	Nexperia

技术参数

Package name：
SO8
Product status：
Production
Channel type：
N
Number of transistors：
2
V_DS [max] (V)：
30
R_DSon [max] @ V_GS = 10 V (mΩ)：
100
R_DSon [max] @ V_GS = 4.5 V (mΩ)：
200
T_j [max] (°C)：
150
I_D [max] (A)：
3.4
Q_GD [typ] (nC)：
0.7
Q_G(tot) [typ] @ V_GS = 10 V (nC)：
6
P_tot [max] (W)：
2
Q_r [typ] (nC)：
55
V_GSth [typ] (V)：
2
Automotive qualified：
N
C_iss [typ] (pF)：
250
C_oss [typ] (pF)：
88
Date：
2011-01-05

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