PHN210中文资料Dual N-channel TrenchMOS intermediate level FET数据手册Nexperia规格书
PHN210规格书详情
描述 Description
Dual intermediate level N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a plastic package using TrenchMOS technology. This product is designed and qualified for use in computing, communications, consumer and industrial applications only.
技术参数
- 型号：
PHN210
- 功能描述：
MOSFET TAPE13 MOSFET
- RoHS：
否
- 制造商：
STMicroelectronics
- 晶体管极性：
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压：
650 V
- 闸/源击穿电压：
25 V
- 漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
- RDS（导通）：
0.014 Ohms
- 配置：
Single
- 安装风格：
Through Hole
- 封装/箱体：
Max247
- 封装：
Tube
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
PHI |
22+ |
SOP8 |
5000 |
只做原装,假一赔十 |
询价 | ||
恩XP |
24+ |
SOP8 |
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恩XP |
23+ |
NA |
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Nexperia/安世 |
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SOP-8 |
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恩XP |
20+ |
SOP-8 |
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原装优势主营型号-可开原型号增税票 |
询价 | ||
PHI |
23+ |
SSOP |
12300 |
询价 | |||
PHI |
25+ |
SOP8 |
3000 |
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PHILPS |
23+ |
SOP8 |
7566 |
原厂原装 |
询价 | ||
2023+ |
SMD-8 |
3000 |
进口原装现货 |
询价 | |||
恩XP |
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SOP8 |
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