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PHM30NQ10T中文资料TrenchMOS standard level FET数据手册恩XP规格书
技术参数
- 型号：
PHM30NQ10T
- 功能描述：
MOSFET N-CH 100V 37.6A SOT685-1
- RoHS：
是
- 类别：
分离式半导体产品 >> FET - 单
- 系列：
TrenchMOS™
- 标准包装：
1,000
- 系列：
MESH OVERLAY™ FET
- 型：
MOSFET N 通道，金属氧化物 FET
- 特点：
逻辑电平门
- 漏极至源极电压(Vdss)：
200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°
- C：
18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°
- C：
180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的
- Vgs(th)（最大）：
4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @
- Vgs：
72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @
- Vds：
1560pF @ 25V 功率 -
- 最大：
40W
- 安装类型：
通孔
- 封装/外壳：
TO-220-3 整包
- 供应商设备封装：
TO-220FP
- 包装：
管件
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
恩XP |
24+ |
SMD8 |
54000 |
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恩XP |
24+ |
SMD8 |
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PHI |
22+ |
QFN12 |
3000 |
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恩XP |
25+23+ |
SMD8 |
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恩XP |
24+ |
SMD8 |
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MODULE |
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恩XP |
24+ |
SMD8 |
880000 |
明嘉莱只做原装正品现货 |
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PHI |
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QFN12 |
50000 |
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原厂 |
2023+ |
模块 |
600 |
专营模块,继电器,公司原装现货 |
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恩XP |
21+ |
SMD8 |
6000 |
全新原装 现货 价优 |
询价 |
