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PHKD6N02LT规格书详情
描述 Description
Dual N-channel TrenchMOS logic level FET - Dual logic level N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a plastic package using TrenchMOS technology. This product is designed and qualified for use in computing, communications, consumer and industrial applications only.
特性 Features
·Low conduction losses due to low on-state resistance
·Suitable for logic level gate drive sources
应用 Application
·Battery chargers
·DC-to-DC convertors
·Notebook computers
·Portable equipment
技术参数
- 制造商编号
：PHKD6N02LT
- 生产厂家
：Nexperia
- Package name
：SO8
- Product status
：Production
- Channel type
：N
- Number of transistors
：2
- V_DS [max] (V)
：20
- R_DSon [max] @ V_GS = 5 V (mΩ)
：20
- R_DSon [max] @ V_GS = 2.5 V (mΩ)
：35
- T_j [max] (°C)
：150
- I_D [max] (A)
：10.9
- Q_GD [typ] (nC)
：6
- P_tot [max] (W)
：4.17
- Q_r [typ] (nC)
：7
- Automotive qualified
：N
- C_iss [typ] (pF)
：950
- C_oss [typ] (pF)
：355
- Date
：2011-01-05
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
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