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PHK18NQ03LT中文资料PHK18NQ03LT - N-channel TrenchMOS logic level FET 数据手册Nexperia规格书
PHK18NQ03LT规格书详情
描述 Description
N-channel TrenchMOS logic level FET - Logic level N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a plastic package using TrenchMOS technology. This product is designed and qualified for use in computing, communications, consumer and industrial applications only.
特性 Features
·High efficiency due to low switching and conduction losses
·Suitable for logic level gate drive sources
应用 Application
·DC-to-DC converters
·Notebook computers
·Switched-mode power supplies
·Voltage regulators
技术参数
- 制造商编号
：PHK18NQ03LT
- 生产厂家
：Nexperia
- Package name
：SO8
- Product status
：Production
- Channel type
：N
- Number of transistors
：1
- V_DS [max] (V)
：30
- R_DSon [max] @ V_GS = 10 V (mΩ)
：8.9
- R_DSon [max] @ V_GS = 4.5 V (mΩ)
：12.5
- T_j [max] (°C)
：150
- I_D [max] (A)
：20.3
- Q_GD [typ] (nC)
：2.5
- Q_G(tot) [typ] @ V_GS = 4.5 V (nC)
：10.6
- P_tot [max] (W)
：6.25
- Q_r [typ] (nC)
：14
- V_GSth [typ] (V)
：1.7
- Automotive qualified
：N
- C_iss [typ] (pF)
：1380
- C_oss [typ] (pF)
：290
- Date
：2011-01-05
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