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PHKD6N02LT	文件：748.74 Kbytes Page：13 Pages	Dual N-channel TrenchMOS logic level FET 1.1Generaldescription DuallogiclevelN-channelenhancementmodeField-EffectTransistor(FET)inaplastic packageusingTrenchMOStechnology.Thisproductisdesignedandqualifiedforusein computing,communications,consumerandindustrialapplicationsonly. 1.2Featuresandbenefits	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
PHKD6N02LT	文件：251.13 Kbytes Page：12 Pages	Dual TrenchMOS logic level FET	PhilipsPhilips Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
G6N02L	文件：611.75 Kbytes Page：6 Pages	N-ChannelEnhancementModePowerMOSFET Description TheG6N02Lusesadvancedtrenchtechnologytoprovide excellentRDS(ON),lowgatecharge.Itcanbeusedinawide varietyofapplications. Application lPowerswitch lDC/DCconverters	GOFORDGOFORD SEMICONDUCTOR 谷峰半导体	GOFORD
MMDF6N02HD	文件：232.66 Kbytes Page：10 Pages	PowerMOSFET	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MMDF6N02HD	文件：193.1 Kbytes Page：10 Pages	DUALTMOSPOWERMOSFET6.0AMPERES20VOLTS DualHDTMOSdevicesareanadvancedseriesofpowerMOSFETswhichutilizeMotorola’sHighCellDensityTMOSprocess.TheseminiaturesurfacemountMOSFETsfeaturelowRDS(on)andtruelogiclevelperformance.DualHDTMOSdevicesaredesignedforuseinlowvoltage,highspeedswitchingapplication	MotorolaMotorola, Inc 摩托罗拉加尔文制造公司	Motorola
WFY6N02	文件：390.01 Kbytes Page：6 Pages	20VN?묬hannelMOSFET	WinsemiShenzhen Wenxian Microelectronics Co., Ltd 稳先微电子深圳市稳先微电子有限公司	Winsemi

详细参数

型号：
PHKD6N02LT
功能描述：
MOSFET TAPE13 MOSFET
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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