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PHK31NQ03LT中文资料PHK31NQ03LT - N-channel TrenchMOS logic level FET 数据手册Nexperia规格书

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厂商型号

PHK31NQ03LT

功能描述

PHK31NQ03LT - N-channel TrenchMOS logic level FET

制造商

Nexperia Nexperia B.V. All rights reserved

中文名称

安世 安世半导体(中国)有限公司

数据手册

下载地址下载地址二

更新时间

2025-9-28 9:38:00

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PHK31NQ03LT规格书详情

描述 Description

N-channel TrenchMOS logic level FET - Logic level N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a plastic package using TrenchMOS technology. This product is designed and qualified for use in computing, communications, consumer and industrial applications only.

特性 Features

·High efficiency due to low switching and conduction losses
·Suitable for logic level gate drive sources

应用 Application

·DC-to-DC converters
·Notebook computers
·Switched-mode power supplies
·Voltage regulators

技术参数

  • 制造商编号

    :PHK31NQ03LT

  • 生产厂家

    :Nexperia

  • Package name

    :SO8

  • Product status

    :Production

  • Channel type

    :N

  • Number of transistors

    :1

  • V_DS [max] (V)

    :30

  • R_DSon [max] @ V_GS = 10 V (mΩ)

    :4.4

  • R_DSon [max] @ V_GS = 4.5 V (mΩ)

    :5.6

  • T_j [max] (°C)

    :150

  • I_D [max] (A)

    :30.4

  • Q_GD [typ] (nC)

    :7.7

  • Q_G(tot) [typ] @ V_GS = 4.5 V (nC)

    :33

  • P_tot [max] (W)

    :6.9

  • Q_r [typ] (nC)

    :30

  • V_GSth [typ] (V)

    :1.7

  • Automotive qualified

    :N

  • C_iss [typ] (pF)

    :4900

  • C_oss [typ] (pF)

    :840

  • Date

    :2011-03-11

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