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PHM12NQ20T中文资料TrenchMOS standard level FET数据手册恩XP规格书
技术参数
- 型号：
PHM12NQ20T
- 功能描述：
MOSFET N-CH 200V 14.4A SOT685-1
- RoHS：
是
- 类别：
分离式半导体产品 >> FET - 单
- 系列：
TrenchMOS™
- 标准包装：
1,000
- 系列：
MESH OVERLAY™ FET
- 型：
MOSFET N 通道，金属氧化物 FET
- 特点：
逻辑电平门
- 漏极至源极电压(Vdss)：
200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°
- C：
18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°
- C：
180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的
- Vgs(th)（最大）：
4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @
- Vgs：
72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @
- Vds：
1560pF @ 25V 功率 -
- 最大：
40W
- 安装类型：
通孔
- 封装/外壳：
TO-220-3 整包
- 供应商设备封装：
TO-220FP
- 包装：
管件
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
PH |
23+ |
SOT685-1 |
50000 |
全新原装正品现货,支持订货 |
询价 | ||
NK/南科功率 |
2025+ |
DFN5X6 |
986966 |
国产 |
询价 | ||
PHI |
23+ |
QLPAK |
89630 |
当天发货全新原装现货 |
询价 | ||
PHI |
23+ |
QFN |
128509 |
原厂授权一级代理,专业海外优势订货,价格优势、品种 |
询价 | ||
PHI |
24+ |
SOT685-1 |
2079 |
只做原厂渠道 可追溯货源 |
询价 | ||
原装 |
1923+ |
HVSON-8 |
6900 |
只做进口原装品质决定一切价格优惠 |
询价 | ||
PHI |
23+ |
SOT685-1 |
50000 |
全新原装正品现货,支持订货 |
询价 | ||
PHI |
22+ |
BGA |
3000 |
原装正品,支持实单 |
询价 | ||
PHI |
23+ |
QFN |
10000 |
原厂原装正品 |
询价 | ||
PHI |
07+ |
QFN |
7500 |
询价 |
