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|---|---|---|---|---|
PHM12NQ20T | TrenchMOS standard level FET Description N-channelenhancementmodefield-effecttransistorinaplasticpackageusingTrenchMOS™technology. Productavailability: [PHM12NQ20TinSOT685-1(QLPAK).] Features ■SOT96(SO-8)footprintcompatible ■Lowthermalresistance ■Surfacemountpackage ■Lowprofile. Applicati | PhilipsPhilips Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦 | Philips | |
PHM12NQ20T | TrenchMOS standard level FET; | NXPNXP Semiconductors 恩智浦恩智浦半导体公司 | NXP |
详细参数
- 型号：
PHM12NQ20T
- 功能描述：
MOSFET N-CH 200V 14.4A SOT685-1
- RoHS：
是
- 类别：
分离式半导体产品 >> FET - 单
- 系列：
TrenchMOS™
- 标准包装：
1,000
- 系列：
MESH OVERLAY™ FET
- 型：
MOSFET N 通道，金属氧化物 FET
- 特点：
逻辑电平门
- 漏极至源极电压(Vdss)：
200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°
- C：
18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°
- C：
180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的
- Vgs(th)（最大）：
4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @
- Vgs：
72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @
- Vds：
1560pF @ 25V 功率 -
- 最大：
40W
- 安装类型：
通孔
- 封装/外壳：
TO-220-3 整包
- 供应商设备封装：
TO-220FP
- 包装：
管件
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
PHI |
24+ |
SOT685-1 |
2079 |
只做原厂渠道 可追溯货源 |
询价 | ||
PHI |
18+ |
SOT685 |
85600 |
保证进口原装可开17%增值税发票 |
询价 | ||
PH |
219 |
SOT685-1 |
1200 |
普通 |
询价 | ||
PHI |
23+ |
SOT685-1 |
50000 |
全新原装正品现货,支持订货 |
询价 | ||
PH |
23+ |
SOT685-1 |
50000 |
全新原装正品现货,支持订货 |
询价 | ||
PHI |
2022+ |
SOT685-1 |
1200 |
原厂代理 终端免费提供样品 |
询价 | ||
PHI |
22+ |
BGA |
3000 |
原装正品,支持实单 |
询价 | ||
PHI |
24+ |
NA/ |
5329 |
原厂直销,现货供应,账期支持! |
询价 | ||
PHI |
2022+ |
SOT685-1 |
30000 |
进口原装现货供应,原装 假一罚十 |
询价 | ||
PH |
2023+ |
SOT685-1 |
8800 |
正品渠道现货 终端可提供BOM表配单。 |
询价 |
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