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PHM21NQ15T中文资料TrenchMOS™ standard level FET数据手册恩XP规格书
PHM21NQ15T规格书详情
描述 Description
N-channel enhancement mode field-effect transistor in a plastic package using TrenchMOS™ technology. Product availability:
PHM21NQ15T in SOT685-1 (QLPAK).
特性 Features
■SOT96 (SO8) footprint compatible
■Low thermal resistance
■Surface mount package
■Low profileApplications
■DC-DC converter primary side switching
■Portable equipment applications
技术参数
- 型号：
PHM21NQ15T
- 功能描述：
MOSFET TAPE13 PWR-MOS
- RoHS：
否
- 制造商：
STMicroelectronics
- 晶体管极性：
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压：
650 V
- 闸/源击穿电压：
25 V
- 漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
- RDS（导通）：
0.014 Ohms
- 配置：
Single
- 安装风格：
Through Hole
- 封装/箱体：
Max247
- 封装：
Tube
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
PHI |
24+ |
NA/ |
2500 |
优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票 |
询价 | ||
恩XP |
25+ |
8-HVSON |
54648 |
百分百原装现货 实单必成 |
询价 | ||
PHI |
0630+ |
QFN |
703 |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
询价 | ||
PHI |
2450+ |
QFN12 |
8850 |
只做原装正品假一赔十为客户做到零风险!! |
询价 | ||
PHI |
22+ |
BGA |
3000 |
原装正品,支持实单 |
询价 | ||
恩XP |
原厂封装 |
9800 |
原装进口公司现货假一赔百 |
询价 | |||
NEXPERIA/安世 |
22+ |
SOT1210 |
12245 |
现货,原厂原装假一罚十! |
询价 | ||
恩XP |
2023+ |
8-HVSON |
8635 |
一级代理优势现货,全新正品直营店 |
询价 | ||
NEXPERIA |
20+ |
SOT1210 |
11520 |
特价全新原装公司现货 |
询价 | ||
恩XP |
24+ |
8-HVSON |
63200 |
一级代理/放心采购 |
询价 |
