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PHM21NQ15T	文件：279.42 Kbytes Page：13 Pages	TrenchMOS standard level FET Description N-channelenhancementmodefield-effecttransistorinaplasticpackageusingTrenchMOS™technology.Productavailability: PHM21NQ15TinSOT685-1(QLPAK). Features ■SOT96(SO8)footprintcompatible ■Lowthermalresistance ■Surfacemountpackage ■Lowprofile	PhilipsPhilips Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips

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PHM21NQ15T

文件：279.42 Kbytes

Page：13 Pages

TrenchMOS standard level FET

Description N-channelenhancementmodefield-effecttransistorinaplasticpackageusingTrenchMOS™technology.Productavailability: PHM21NQ15TinSOT685-1(QLPAK). Features ■SOT96(SO8)footprintcompatible ■Lowthermalresistance ■Surfacemountpackage ■Lowprofile

PhilipsPhilips Semiconductors

飞利浦荷兰皇家飞利浦

Philips

详细参数

型号：
PHM21NQ15T
功能描述：
MOSFET TAPE13 PWR-MOS
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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更多PHM21NQ15T供应商更新时间2025-7-22 10:31:00

详细参数

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