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PHM21NQ15T中文资料飞利浦数据手册PDF规格书

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厂商型号

PHM21NQ15T

功能描述

TrenchMOS standard level FET

文件大小

279.42 Kbytes

页面数量

13

生产厂商

PHI

中文名称

飞利浦

数据手册

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更新时间

2025-12-7 20:00:00

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PHM21NQ15T规格书详情

描述 Description

N-channel enhancement mode field-effect transistor in a plastic package using TrenchMOS™ technology. Product availability:

PHM21NQ15T in SOT685-1 (QLPAK).

特性 Features

■SOT96 (SO8) footprint compatible

■Low thermal resistance

■Surface mount package

■Low profile

Applications

■DC-DC converter primary side switching

■Portable equipment applications

产品属性

  • 型号:

    PHM21NQ15T

  • 功能描述:

    MOSFET TAPE13 PWR-MOS

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性:

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压:

    650 V

  • 闸/源击穿电压:

    25 V

  • 漏极连续电流:

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安装风格:

    Through Hole

  • 封装/箱体:

    Max247

  • 封装:

    Tube

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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