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PHKD3NQ10T规格书详情
GENERAL DESCRIPTION
Dual N-channel enhancement mode field-effect transistor in a plastic envelope using ’trench’ technology.
FEATURES
• Dual device
• Low on-state resistance
• Fast switching
• Low profile surface mount package
Applications:-
• Motor and relay drivers
• d.c. to d.c. converters
产品属性
- 型号:
PHKD3NQ10T
- 功能描述:
MOSFET DUAL N-CH TRENCHMOS STD LEVEL FET
- RoHS:
否
- 制造商:
STMicroelectronics
- 晶体管极性:
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压:
650 V
- 闸/源击穿电压:
25 V
- 漏极连续电流:
130 A 电阻汲极/源极
- RDS(导通):
0.014 Ohms
- 配置:
Single
- 安装风格:
Through Hole
- 封装/箱体:
Max247
- 封装:
Tube
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
NEXPERIA/安世 |
2511 |
SOP-8 |
360000 |
电子元器件采购降本 30%!盈慧通原厂直采,砍掉中间差价 |
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恩XP |
21+ |
SO-8 |
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恩XP |
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TO-263 |
89630 |
当天发货全新原装现货 |
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恩XP |
17+ |
SO-8 |
6200 |
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恩XP |
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SO-8 |
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恩XP |
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SO-8 |
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恩XP |
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SO-8 |
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恩XP |
16+ |
SOP8 |
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24+ |
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恩XP |
24+ |
SOP-8 |
39500 |
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