PHK4NQ10T中文资料飞利浦数据手册PDF规格书
PHK4NQ10T规格书详情
GENERAL DESCRIPTION
N-channel enhancement mode field-effect transistor in a plastic envelope using ’trench’ technology.
FEATURES
• Low on-state resistance
• Fast switching
• Low profile surface mount package
Applications:-
• Motor and relay drivers
• d.c. to d.c. converters
产品属性
- 型号：
PHK4NQ10T
- 功能描述：
MOSFET TAPE13 PWR-MOS
- RoHS：
否
- 制造商：
STMicroelectronics
- 晶体管极性：
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压：
650 V
- 闸/源击穿电压：
25 V
- 漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
- RDS（导通）：
0.014 Ohms
- 配置：
Single
- 安装风格：
Through Hole
- 封装/箱体：
Max247
- 封装：
Tube
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
恩XP |
新年份 |
SOP8 |
33288 |
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询价 | ||
恩XP |
04+ |
SO-8 |
3200 |
询价 | |||
PHI |
20+ |
SOP8 |
2960 |
诚信交易大量库存现货 |
询价 | ||
恩XP |
24+ |
SO-8 |
15000 |
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原厂 |
13+ |
IC |
1 |
普通 |
询价 | ||
恩XP |
22+ |
SOIC-8 |
25000 |
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恩XP |
23+ |
SO-8 |
3200 |
询价 | |||
恩XP |
25+ |
SOP-8 |
20300 |
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恩XP |
24+ |
SO-8 |
65300 |
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恩XP |
23+ |
SOP8 |
7000 |
询价 |
