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PHK4NQ10T	文件：84.02 Kbytes Page：7 Pages	N-channel TrenchMOS transistor GENERALDESCRIPTION N-channelenhancementmodefield-effecttransistorinaplasticenvelopeusing’trench’technology. FEATURES •Lowon-stateresistance •Fastswitching •Lowprofilesurfacemountpackage Applications:- •Motorandrelaydrivers •d.c.tod.c.converters	PhilipsPhilips Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
PHK4NQ10T	文件：620.37 Kbytes Page：9 Pages	N-Channel 100 V (D-S) MOSFET FEATURES •Halogen-freeAccordingtoIEC61249-2-21 Definition •ExtremelyLowQgdforSwitchingLosses •100RgTested •100AvalancheTested •ComplianttoRoHSDirective2002/95/EC APPLICATIONS •PrimarySideSwitch	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
PHT4NQ10LT	文件：977.42 Kbytes Page：6 Pages	N-Channel100-V(D-S)MOSFET FEATURES •Halogen-freeAccordingtoIEC61249-2-21Definition •TrenchFET®PowerMOSFETs •175°CMaximumJunctionTemperature •ComplianttoRoHSDirective2002/95/EC	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
PHT4NQ10LT	文件：440.58 Kbytes Page：14 Pages	N-channelTrenchMOSlogiclevelFET 1.1Generaldescription LogiclevelN-channelenhancementmodeField-EffectTransistor(FET)inaplastic packageusingTrenchMOStechnology.Thisproductisdesignedandqualifiedforusein computing,communications,consumerandindustrialapplications. 1.2Featuresandbenefits Lowcond	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
PHT4NQ10LT	文件：347.09 Kbytes Page：13 Pages	N-channelenhancementmodefield-effecttransistor Description N-channelenhancementmodefield-effecttransistorinaplasticpackageusingTrenchMOS™1technology. Productavailability: PHT4NQ10LTinSOT223. Features ■TrenchMOS™technology ■Fastswitching ■Lowon-stateresistance ■Surfacemountpackage ■Logiclevelcompatible.	PhilipsPhilips Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
PHT4NQ10T	文件：393.85 Kbytes Page：13 Pages	TrenchMOS™standardlevelFET 1.Description N-channelenhancementmodefield-effecttransistorinaplasticpackageusing TrenchMOS™technology. Productavailability: PHT4NQ10TinSOT223. 2.Features nTrenchMOS™technology nVeryfastswitching nSurfacemountpackage. 3.Applications nPrimarysideswitchinDCto	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
PHT4NQ10T	文件：977.41 Kbytes Page：6 Pages	N-Channel100-V(D-S)MOSFET FEATURES •Halogen-freeAccordingtoIEC61249-2-21Definition •TrenchFET®PowerMOSFETs •175°CMaximumJunctionTemperature •ComplianttoRoHSDirective2002/95/EC	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
PHT4NQ10T	文件：351.57 Kbytes Page：13 Pages	N-channelenhancementmodefield-effecttransistor Description N-channelenhancementmodefield-effecttransistorinaplasticpackageusingTrenchMOS™1technology. Features ■TrenchMOS™technology ■Veryfastswitching ■Surfacemountpackage. Applications ■PrimarysideswitchinDCtoDCconverters ■Highspeedlinedriver ■Fastgener	PhilipsPhilips Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips

详细参数

型号：
PHK4NQ10T
功能描述：
MOSFET TAPE13 PWR-MOS
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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