| 选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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15年
留言
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恩XPSOT1210 |
15620 |
25+ |
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恩XP/恩XP全新特价PHM10030DLS即刻询购立享优惠#长期有货 |
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12年
留言
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恩XPQFN |
9850 |
2450+ |
只做原装正品现货或订货假一赔十! |
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4年
留言
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恩XPSOT1210 |
7850 |
24+ |
只做原装正品现货或订货假一赔十! |
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15年
留言
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NEXPERIA/安世SOT1210 |
600000 |
25+ |
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NEXPERIA/安世全新特价PHM10030DLSX即刻询购立享优惠#长期有排单订 |
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PHIQFN |
128509 |
23+ |
原厂授权一级代理,专业海外优势订货,价格优势、品种 |
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15年
留言
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NIECMODULE |
8513 |
专业模块 |
模块原装主营-可开原型号增税票 |
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15年
留言
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NIECMODULE |
8513 |
专业模块 |
模块原装主营-可开原型号增税票 |
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17年
留言
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英达模块 |
300 |
2015 |
十七年VIP会员,诚信经营,一手货源,原装正品可零售! |
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8年
留言
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N/A |
70000 |
26+ |
一级代理-主营优势-实惠价格-不悔选择 |
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5年
留言
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DAECSMD |
100500 |
2447 |
一级代理专营品牌!原装正品,优势现货,长期排单到货 |
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6年
留言
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恩XPQFN |
7500 |
23+ |
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9年
留言
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M/A-COM原装正品 |
4285 |
2318+ |
十年专业专注 优势渠道商正品保证 |
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9年
留言
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MACOM原装 |
15860 |
最新 |
全新原装新到现货假一罚十特价 |
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6年
留言
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恩XP8VDFN |
8000 |
23+ |
只做原装现货 |
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8年
留言
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M/A-COMTO-59 |
8510 |
23+ |
原装正品代理渠道价格优势 |
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6年
留言
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恩XPQFN |
50000 |
23+ |
全新原装正品现货,支持订货 |
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12年
留言
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MA/COMNA |
5500 |
一级代理 原装正品假一罚十价格优势长期供货 |
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7年
留言
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恩XP8-HVSON |
50000 |
26+ |
芯为深仓现货 |
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5年
留言
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恩XP8VDFN |
9000 |
22+ |
原厂渠道,现货配单 |
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3年
留言
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恩XPQFN |
10000 |
23+ |
原厂原装正品 |
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PHM1图片
PHM120价格
PHM120价格:¥183.7103品牌:Weller
生产厂家品牌为Weller的PHM120多少钱,想知道PHM120价格是多少?参考价:¥183.7103。这里提供2026年最近一周走势,供应商今日竞价,代理商今日出价,PHM120批发价格及采购报价,PHM120销售排行榜及行情走势,PHM120报价。
PHM15NQ20T中文资料Alldatasheet PDF
更多PHM1制造商:PANDUIT 功能描述:TRANSFER HOSE
PHM120功能描述:烙铁 SOLDER IRON STAND RoHS:否 制造商:Weller 产品:Soldering Stations 类型:Digital, Iron, Stand, Cleaner 瓦特:50 W 最大温度:+ 850 F 电缆类型:US Cord Included
PHM12NQ20T,518功能描述:MOSFET N-CH 200V 14.4A SOT685-1 RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:TrenchMOS™ 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A,10V Id 时的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
PHM15NQ20T,518功能描述:MOSFET N-CH 200V 17.5A SOT685-1 RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:TrenchMOS™ 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A,10V Id 时的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
PHM1880-15制造商:M/A-COM Technology Solutions 功能描述:HZ 15WATT - Bulk
PHM18NQ15T,518功能描述:MOSFET N-CH 150V 19A SOT685-1 RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:TrenchMOS™ 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A,10V Id 时的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
PHM1990-15功能描述:Microwave/Millimeter Wave Amplifier



























