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PHM15NQ20T	文件：283.27 Kbytes Page：13 Pages	TrenchMOS standard level FET Description N-channel enhancement mode field-effect transistor in a plastic package using TrenchMOS™ technology. Features ■ SOT96 (SO-8) footprint compatible ■ Low thermal resistance ■ Surface mounted package ■ Low profile. Applications ■ DC-to-DC primary side ■ Portable appliances. 文件：283.27 Kbytes 页数：13 Pages	PHI PHI	PHI
PHM15NQ20T	文件：300 bytes Page：1 Pages	TrenchMOS standard level FET	恩XP	恩XP
PHPT60603NYX	文件：0 bytes Page：0 Pages	con	NEXPERIA 安世上传：北京天阳诚业科贸有限公司	NEXPERIA
PHR-10	文件：0 bytes Page：0 Pages	N/A	JST JST集团上传：深圳市云泰半导体科技有限公司二部	JST
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详细参数

型号：
PHM15NQ20T
功能描述：
MOSFET N-CH 200V 17.5A SOT685-1
RoHS：
是
类别：
分离式半导体产品 >> FET - 单
系列：
TrenchMOS™
标准包装：
1,000
系列：
MESH OVERLAY™ FET
型：
MOSFET N 通道，金属氧化物 FET
特点：
逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)：
200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°
C：
18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°
C：
180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的
Vgs(th)（最大）：
4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @
Vgs：
72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @
Vds：
1560pF @ 25V 功率 -
最大：
40W
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-220-3 整包
供应商设备封装：
TO-220FP
包装：
管件

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