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PHM15NQ20T	文件：283.27 Kbytes Page：13 Pages	TrenchMOS standard level FET Description N-channel enhancement mode field-effect transistor in a plastic package using TrenchMOS™ technology. Features ■ SOT96 (SO-8) footprint compatible ■ Low thermal resistance ■ Surface mounted package ■ Low profile. Applications ■ DC-to-DC primary side ■ Portable appliances. 文件：283.27 Kbytes 页数：13 Pages	PHI 飞利浦	PHI
PHM15NQ20T	文件：300 bytes Page：1 Pages	TrenchMOS standard level FET	恩XP 恩智浦	恩XP
PHPT60603NYX	文件：0 bytes Page：0 Pages	NEXPERIA con	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司上传：北京天阳诚业科贸有限公司	NEXPERIA
PHR-10	文件：0 bytes Page：0 Pages	JST N/A	JST JST集团上传：深圳市云泰半导体科技有限公司二部	JST
PHR-10	文件：0 bytes Page：0 Pages	JST/日压 CONN	JST/日压上传：深圳市艾泽电子有限公司	JST/日压

详细参数

型号：
PHM15NQ20T
功能描述：
MOSFET N-CH 200V 17.5A SOT685-1
RoHS：
是
类别：
分离式半导体产品 >> FET - 单
系列：
TrenchMOS™
标准包装：
1,000
系列：
MESH OVERLAY™ FET
型：
MOSFET N 通道，金属氧化物 FET
特点：
逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)：
200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°
C：
18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°
C：
180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的
Vgs(th)（最大）：
4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @
Vgs：
72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @
Vds：
1560pF @ 25V 功率 -
最大：
40W
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-220-3 整包
供应商设备封装：
TO-220FP
包装：
管件

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