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PHM15NQ20T	文件：283.27 Kbytes Page：13 Pages	TrenchMOS standard level FET Description N-channelenhancementmodefield-effecttransistorinaplasticpackageusingTrenchMOS™technology. Features ■SOT96(SO-8)footprintcompatible ■Lowthermalresistance ■Surfacemountedpackage ■Lowprofile. Applications ■DC-to-DCprimaryside ■Portableappliances.	PhilipsPhilips Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips

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PHM15NQ20T

文件：283.27 Kbytes

Page：13 Pages

TrenchMOS standard level FET

Description N-channelenhancementmodefield-effecttransistorinaplasticpackageusingTrenchMOS™technology. Features ■SOT96(SO-8)footprintcompatible ■Lowthermalresistance ■Surfacemountedpackage ■Lowprofile. Applications ■DC-to-DCprimaryside ■Portableappliances.

PhilipsPhilips Semiconductors

飞利浦荷兰皇家飞利浦

Philips

详细参数

型号：
PHM15NQ20T
功能描述：
MOSFET N-CH 200V 17.5A SOT685-1
RoHS：
是
类别：
分离式半导体产品 >> FET - 单
系列：
TrenchMOS™
标准包装：
1,000
系列：
MESH OVERLAY™ FET
型：
MOSFET N 通道，金属氧化物 FET
特点：
逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)：
200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°
C：
18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°
C：
180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的
Vgs(th)（最大）：
4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @
Vgs：
72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @
Vds：
1560pF @ 25V 功率 -
最大：
40W
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-220-3 整包
供应商设备封装：
TO-220FP
包装：
管件

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更多PHM15NQ20T供应商更新时间2025-7-26 16:19:00

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