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PHKD3NQ10T规格书详情
描述 Description
Dual N-channel TrenchMOS standard level FET - Dual standard level N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a plastic package using TrenchMOS technology. This product is designed and qualified for use in computing, communications, consumer and industrial applications only.
特性 Features
·Low conduction losses due to low on-state resistance
·Suitable for high frequency applications due to fast switching characteristics
·Suitable for use in compact designs due to low profile
应用 Application
·DC-to-DC converters
·Motor and relay drivers
技术参数
- 制造商编号
：PHKD3NQ10T
- 生产厂家
：Nexperia
- Package name
：SO8
- Product status
：Production
- Channel type
：N
- Number of transistors
：2
- V_DS [max] (V)
：100
- R_DSon [max] @ V_GS = 10 V (mΩ)
：90
- T_j [max] (°C)
：150
- I_D [max] (A)
：3
- Q_GD [typ] (nC)
：8
- Q_G(tot) [typ] @ V_GS = 10 V (nC)
：21
- P_tot [max] (W)
：2
- Q_r [typ] (nC)
：135
- V_GSth [typ] (V)
：3
- Automotive qualified
：N
- C_iss [typ] (pF)
：633
- C_oss [typ] (pF)
：103
- Date
：2011-01-05
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
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