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PHD77NQ03T中文资料N-channel TrenchMOS standard level FET数据手册Nexperia规格书
PHD77NQ03T规格书详情
描述 Description
Standard level N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a plastic package using TrenchMOS technology. This product is designed and qualified for use in computing, communications, consumer and industrial applications only.
技术参数
- 型号：
PHD77NQ03T
- 功能描述：
两极晶体管 - BJT Trans MOSFET N-CH 25V 75A 3-Pin
- RoHS：
否
- 制造商：
STMicroelectronics
- 晶体管极性：
PNP 集电极—基极电压
- VCBO：
集电极—发射极最大电压
- VCEO：
- 40 V 发射极 - 基极电压
- VEBO：
- 6 V
- 增益带宽产品fT：
直流集电极/Base Gain hfe
- Min：
100 A
- 安装风格：
SMD/SMT
- 封装/箱体：
PowerFLAT 2 x 2
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