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PHB33NQ20T中文资料N-channel TrenchMOS standard level FET数据手册Nexperia规格书

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厂商型号

PHB33NQ20T

功能描述

N-channel TrenchMOS standard level FET

制造商

Nexperia Nexperia B.V. All rights reserved

中文名称

安世 安世半导体(中国)有限公司

数据手册

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更新时间

2025-9-26 16:04:00

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PHB33NQ20T规格书详情

描述 Description

Standard level N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a plastic package using TrenchMOS technology. This product is designed and qualified for use in computing, communications, consumer and industrial applications only.

特性 Features

• Higher operating power due to low thermal resistance
• Low conduction losses due to low on-state resistance
• Simple gate drive required due to low gate charge
• Suitable for high frequency applications due to fast switching characteristics

应用 Application

• DC-to-DC primary side switching

技术参数

  • 制造商编号

    :PHB33NQ20T

  • 生产厂家

    :Nexperia

  • Package name

    :D2PAK

  • Product status

    :Production

  • Channel type

    :N

  • Nr of transistors

    :1

  • VDS [max] (V)

    :200

  • RDSon [max] @ VGS = 10 V (mΩ)

    :77

  • Tj [max] (°C)

    :175

  • ID [max] (A)

    :32.7

  • QGD [typ] (nC)

    :9.6

  • QG(tot) [typ] @ VGS = 10 V (nC)

    :32.2

  • Ptot [max] (W)

    :230

  • Qr [typ] (nC)

    :645

  • VGSth [typ] (V)

    :3

  • Automotive qualified

    :N

  • Ciss [typ] (pF)

    :1869.9999

  • Coss [typ] (pF)

    :230

  • Release date

    :2010-11-01

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