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PHB20NQ20T中文资料N-channel TrenchMOS™ transistor数据手册恩XP规格书
PHB20NQ20T规格书详情
描述 Description
GENERAL DESCRIPTION
N-channel enhancement mode field-effect power transistor in a plastic envelope using ’trench’ technology. The device has very low on-state resistance. It is intended for use in dc to dc converters and general purpose switching applications.
The PHP20NQ20T is supplied in the SOT78 (TO220AB) conventional leaded package.
The PHB20NQ20T is supplied in the SOT404 (D2PAK) surface mounting package.FEATURES
• ’Trench’ technology
• Very low on-state resistance
• Fast switching
• Low thermal resistance
特性 Features
• ’Trench’ technology
• Very low on-state resistance
• Fast switching
• Low thermal resistance
技术参数
- 型号：
PHB20NQ20T
- 功能描述：
MOSFET TAPE13 PWR-MOS
- RoHS：
否
- 制造商：
STMicroelectronics
- 晶体管极性：
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压：
650 V
- 闸/源击穿电压：
25 V
- 漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
- RDS（导通）：
0.014 Ohms
- 配置：
Single
- 安装风格：
Through Hole
- 封装/箱体：
Max247
- 封装：
Tube
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
恩XP |
2023+ |
TO263 |
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PH |
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TO-263 |
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恩XP |
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恩XP |
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SOT-404 |
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