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PHB176NQ04T数据手册恩XP中文资料规格书
技术参数
- 型号:
PHB176NQ04T
- 功能描述:
MOSFET TRENCHMOS(TM) FET
- RoHS:
否
- 制造商:
STMicroelectronics
- 晶体管极性:
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压:
650 V
- 闸/源击穿电压:
25 V
- 漏极连续电流:
130 A 电阻汲极/源极
- RDS(导通):
0.014 Ohms
- 配置:
Single
- 安装风格:
Through Hole
- 封装/箱体:
Max247
- 封装:
Tube
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
恩XP |
24+ |
TO-263 |
80000 |
只做自己库存 全新原装进口正品假一赔百 可开13%增 |
询价 | ||
恩XP |
25+23+ |
TO-263 |
28011 |
绝对原装正品全新进口深圳现货 |
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恩XP |
22+ |
TO2633 D2Pak (2 Leads + Tab) T |
9000 |
原厂渠道,现货配单 |
询价 | ||
恩XP |
24+ |
NA/ |
21750 |
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恩XP |
20+ |
SOT404TO-263D2PAK |
36900 |
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恩XP |
08+ |
TO-263 |
376 |
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恩XP |
2023+ |
TO-263 |
8800 |
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N |
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D2-PAK |
37650 |
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恩XP |
23+ |
TO-263 |
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PHI |
24+ |
TO-263 |
20000 |
只做原厂渠道 可追溯货源 |
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