PHB29N08T中文资料N-channel TrenchMOS standard level FET数据手册Nexperia规格书
PHB29N08T规格书详情
描述 Description
Standard level N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a plastic package using TrenchMOS technology. This product is designed and qualified for use in computing, communications, consumer and industrial applications only.
特性 Features
• High noise immunity due to high gate threshold voltage
• Low conduction losses due to low on-state resistance
应用 Application
• Industrial motor control
技术参数
- 制造商编号
：PHB29N08T
- 生产厂家
：Nexperia
- Package name
：D2PAK
- Product status
：Production
- Channel type
：N
- Nr of transistors
：1
- VDS [max] (V)
：75
- Tj [max] (°C)
：175
- ID [max] (A)
：27
- QGD [typ] (nC)
：9
- QG(tot) [typ] @ VGS = 10 V (nC)
：19
- Ptot [max] (W)
：88
- Qr [typ] (nC)
：65
- VGSth [typ] (V)
：4
- Automotive qualified
：N
- Ciss [typ] (pF)
：810
- Coss [typ] (pF)
：140
- Release date
：2010-09-02
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
恩XP |
24+ |
NA/ |
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Nexperia(安世) |
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NEXPERIA/安世 |
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