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PHB27NQ10T规格书详情
1.1 General description
Standard level N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a plastic
package using TrenchMOS technology. This product is designed and qualified for use in
computing, communications, consumer and industrial applications only.
1.2 Features and benefits
Higher operating power due to low
thermal resistance
Low conduction losses due to low
on-state resistance
Suitable for high frequency
applications due to fast switching
characteristics
1.3 Applications
DC-to-DC converters Switched-mode power supplies
产品属性
- 型号：
PHB27NQ10T
- 功能描述：
MOSFET TAPE13 PWR-MOS
- RoHS：
否
- 制造商：
STMicroelectronics
- 晶体管极性：
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压：
650 V
- 闸/源击穿电压：
25 V
- 漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
- RDS（导通）：
0.014 Ohms
- 配置：
Single
- 安装风格：
Through Hole
- 封装/箱体：
Max247
- 封装：
Tube
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
恩XP |
24+ |
NA/ |
7350 |
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询价 | ||
恩XP |
24+ |
NA/ |
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恩XP |
24+ |
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NEXPERIA/安世 |
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恩XP |
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恩XP |
24+ |
TO-263 |
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恩XP |
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TO-263 |
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恩XP |
24+ |
TO-263 |
2400 |
只做原厂渠道 可追溯货源 |
询价 | ||
24+ |
3000 |
公司存货 |
询价 | ||||
PHI |
17+ |
TO-263 |
6200 |
询价 |
