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PHB27NQ10T规格书详情
·DESCRIPTION
·Drain Current ID= 28A@ TC=25℃
·Drain Source Voltage-
: VDSS= 100V(Min)
·Static Drain-Source On-Resistance
: RDS(on) = 50mΩ(Max)@VGS= 10V
·100 avalanche tested
·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device
performance and reliable operation
·APPLICATIONS
·General purpose power amplifier
产品属性
- 型号:
PHB27NQ10T
- 功能描述:
MOSFET TAPE13 PWR-MOS
- RoHS:
否
- 制造商:
STMicroelectronics
- 晶体管极性:
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压:
650 V
- 闸/源击穿电压:
25 V
- 漏极连续电流:
130 A 电阻汲极/源极
- RDS(导通):
0.014 Ohms
- 配置:
Single
- 安装风格:
Through Hole
- 封装/箱体:
Max247
- 封装:
Tube
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
恩XP |
24+ |
NA/ |
7350 |
现货供应,当天可交货!免费送样,原厂技术支持!!! |
询价 | ||
恩XP |
24+ |
NA/ |
2400 |
优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票 |
询价 | ||
恩XP |
24+ |
TO-263 |
80000 |
只做自己库存 全新原装进口正品假一赔百 可开13%增 |
询价 | ||
恩XP |
22+ |
SOT-263 |
100000 |
代理渠道/只做原装/可含税 |
询价 | ||
恩XP |
12+ |
TO-263 |
2400 |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
询价 | ||
NEXPERIA/安世 |
2511 |
D2PAK |
360000 |
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恩XP |
24+ |
TO-263 |
504480 |
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询价 | ||
恩XP |
23+ |
NA |
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恩XP |
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TO-263 |
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恩XP |
24+ |
TO-263 |
2400 |
只做原厂渠道 可追溯货源 |
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