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PHB119NQ06T	文件：344.42 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·Drain Current -ID= 75A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage -VDSS= 55V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance -RDS(on) = 7.1mΩ(Max)@VGS= 10V DESCRIPTION ·DC-to-DC Converter ·General Industrial Applications ·Power Motor Control 文件：344.42 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
PHB119NQ06T	文件：94.09 Kbytes Page：13 Pages	N-channel TrenchMOS standard level FET 文件：94.09 Kbytes 页数：13 Pages	PHI 飞利浦	PHI
PHB119NQ06T	文件：191.06 Kbytes Page：13 Pages	N-channel TrenchMOS standard level FET 文件：191.06 Kbytes 页数：13 Pages	恩XP	恩XP
PHB119NQ06T	文件：300 bytes Page：1 Pages	N-channel TrenchMOS standard level FET	恩XP 恩智浦	恩XP

详细参数

型号：
PHB119NQ06T
功能描述：
MOSFET TRENCHMOS(TM)FET
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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