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PHB119NQ06T | isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=75A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=55V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=7.1mΩ(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·DC-to-DCConverter ·GeneralIndustrialApplications ·PowerMotorControl | ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司 | ISC | |
PHB119NQ06T | N-channel TrenchMOS standard level FET | PhilipsPhilips Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦 | Philips | |
iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=75A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=55V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=7.1mΩ(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·DC-to-DCConverter ·GeneralIndustrialApplications ·PowerMotorControl | ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司 | ISC | ||
N-channelTrenchMOSstandardlevelFET | PhilipsPhilips Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦 | Philips |
详细参数
- 型号：
PHB119NQ06T
- 功能描述：
MOSFET TRENCHMOS(TM)FET
- RoHS：
否
- 制造商：
STMicroelectronics
- 晶体管极性：
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压：
650 V
- 闸/源击穿电压：
25 V
- 漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
- RDS（导通）：
0.014 Ohms
- 配置：
Single
- 安装风格：
Through Hole
- 封装/箱体：
Max247
- 封装：
Tube
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
PHI |
24+ |
TO-263 |
20000 |
只做原厂渠道 可追溯货源 |
询价 | ||
恩XP |
17+ |
SOT404TO-263D2PAK |
31518 |
原装正品 可含税交易 |
询价 | ||
PH |
24+ |
SOT404TO-263D2PAK |
8866 |
询价 | |||
恩XP |
23+ |
TO-263 |
11846 |
一级代理商现货批发,原装正品,假一罚十 |
询价 | ||
恩XP |
1822+ |
TO-263 |
9852 |
只做原装正品假一赔十为客户做到零风险!! |
询价 | ||
恩XP |
18+ |
TO-263 |
41200 |
原装正品,现货特价 |
询价 | ||
恩XP |
20+ |
SOT404TO-263D2PAK |
36900 |
原装优势主营型号-可开原型号增税票 |
询价 | ||
PHI |
08+ |
TO-263 |
20000 |
普通 |
询价 | ||
PHI |
23+ |
TO-263 |
50000 |
全新原装正品现货,支持订货 |
询价 | ||
PHI |
25+ |
TO-263 |
4500 |
全新原装、诚信经营、公司现货销售! |
询价 |
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