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PHB119NQ06T中文资料无锡固电数据手册PDF规格书

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厂商型号

PHB119NQ06T

功能描述

isc N-Channel MOSFET Transistor

文件大小

344.42 Kbytes

页面数量

2

生产厂商

ISC

中文名称

无锡固电

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数据手册

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更新时间

2025-10-5 23:00:00

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PHB119NQ06T规格书详情

FEATURES

·Drain Current -ID= 75A@ TC=25℃

·Drain Source Voltage -VDSS= 55V(Min)

·Static Drain-Source On-Resistance

-RDS(on) = 7.1mΩ(Max)@VGS= 10V

DESCRIPTION

·DC-to-DC Converter

·General Industrial Applications

·Power Motor Control

产品属性

  • 型号:

    PHB119NQ06T

  • 功能描述:

    MOSFET TRENCHMOS(TM)FET

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性:

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压:

    650 V

  • 闸/源击穿电压:

    25 V

  • 漏极连续电流:

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安装风格:

    Through Hole

  • 封装/箱体:

    Max247

  • 封装:

    Tube

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
PHI
24+
NA/
1550
优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票
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PHI
22+
SOT-263
100000
代理渠道/只做原装/可含税
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4500
全新原装、诚信经营、公司现货销售!
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24+
TO-263
20000
只做原厂渠道 可追溯货源
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SOT-404
5000
原装正品,假一罚十
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SOT404TO-263D2PAK
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SOT404TO-263D2PAK
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原装正品,支持实单
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TO2633 D2Pak (2 Leads + Tab) T
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恩XP
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SOT404TO-263D2PAK
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