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PHB101NQ04T规格书详情
General description
Standard level N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a plastic package using TrenchMOS technology. This product is designed and qualified for use in computing, communications, consumer and industrial applications only.
Features and benefits
■ Low conduction losses due to low on-state resistance
■ Suitable for standard level gate drive sources
Applications
■ DC-to-DC convertors
■ General industrial applications
■ Motors, lamps and solenoids
■ Uninterruptible power supplies
产品属性
- 型号：
PHB101NQ04T
- 功能描述：
MOSFET N-CH TRENCH 40V
- RoHS：
否
- 制造商：
STMicroelectronics
- 晶体管极性：
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压：
650 V
- 闸/源击穿电压：
25 V
- 漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
- RDS（导通）：
0.014 Ohms
- 配置：
Single
- 安装风格：
Through Hole
- 封装/箱体：
Max247
- 封装：
Tube
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
恩XP |
24+ |
NA/ |
32365 |
优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票 |
询价 | ||
N |
24+ |
TO-263 |
80000 |
只做自己库存 全新原装进口正品假一赔百 可开13%增 |
询价 | ||
PHI |
2023+ |
SMD |
15585 |
安罗世纪电子只做原装正品货 |
询价 | ||
PHI |
23+ |
NA |
32354 |
专做原装正品,假一罚百! |
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PHI |
25+23+ |
TO-263 |
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PHI |
25+ |
TO-263 |
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全新原装、诚信经营、公司现货销售! |
询价 | ||
PHI |
24+ |
TO-263 |
20000 |
只做原厂渠道 可追溯货源 |
询价 | ||
VBsemi |
24+ |
TO263 |
11000 |
原装正品 有挂有货 假一赔十 |
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PHI |
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TO263 |
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VISHAY |
原厂封装 |
9800 |
原装进口公司现货假一赔百 |
询价 |
