PH4530L中文资料N-channel TrenchMOS logic level FET数据手册Nexperia规格书
PH4530L规格书详情
描述 Description
Logic level N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a plastic package using TrenchMOS technology. This product is designed and qualified for use in computing, communications, consumer and industrial applications only.
技术参数
- 型号：
PH4530L
- 功能描述：
MOSFET TAPE13 PWR-MOS
- RoHS：
否
- 制造商：
STMicroelectronics
- 晶体管极性：
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压：
650 V
- 闸/源击穿电压：
25 V
- 漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
- RDS（导通）：
0.014 Ohms
- 配置：
Single
- 安装风格：
Through Hole
- 封装/箱体：
Max247
- 封装：
Tube
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
恩XP |
23+ |
9865 |
原装正品,假一赔十 |
询价 | |||
PHI |
24+ |
SOT669 |
3000 |
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PHI |
25+ |
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PHI |
25+ |
SOT-669 |
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恩XP |
24+ |
LFPak-4 |
115 |
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恩XP |
25+ |
SOT669 |
188600 |
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询价 | ||
恩XP |
23+ |
LFPAK |
89630 |
当天发货全新原装现货 |
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恩XP |
2023+ |
SOT-669 |
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恩XP |
23+ |
SC100 SOT669 |
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恩XP |
2022+ |
SC-100,SOT-669 |
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