PH3330L数据手册Nexperia中文资料规格书
PH3330L规格书详情
描述 Description
Logic level N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a plastic package using TrenchMOS technology. This product is designed and qualified for use in computing, communications, consumer and industrial applications only.
技术参数
- 型号：
PH3330L
- 功能描述：
MOSFET TRENCH-3
- RoHS：
否
- 制造商：
STMicroelectronics
- 晶体管极性：
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压：
650 V
- 闸/源击穿电压：
25 V
- 漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
- RDS（导通）：
0.014 Ohms
- 配置：
Single
- 安装风格：
Through Hole
- 封装/箱体：
Max247
- 封装：
Tube
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
恩XP |
SOT669 |
53650 |
一级代理 原装正品假一罚十价格优势长期供货 |
询价 | |||
PHI |
2020+ |
SOT669 |
10 |
百分百原装正品 真实公司现货库存 本公司只做原装 可 |
询价 | ||
恩XP |
23+ |
SOT669 |
122737 |
原厂授权一级代理,专业海外优势订货,价格优势、品种 |
询价 | ||
恩XP |
24+ |
NA/ |
83 |
优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票 |
询价 | ||
恩XP |
25+ |
SOT669 |
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询价 | ||
PHI |
24+ |
SOT669 |
80000 |
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恩XP |
23+24 |
SOT-669 |
29840 |
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询价 | ||
恩XP |
24+ |
SOT-669 |
60000 |
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询价 | ||
PHI |
24+ |
SOT669 |
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恩XP |
2025+ |
SOT669 |
3550 |
全新原厂原装产品、公司现货销售 |
询价 |
