PH3230S中文资料N-channel TrenchMOS intermediate level FET数据手册Nexperia规格书
PH3230S规格书详情
描述 Description
Intermediate level N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a plastic package using TrenchMOS technology. This product is designed and qualified for use in computing, communications, consumer and industrial applications only.
技术参数
- 型号：
PH3230S
- 功能描述：
MOSFET N-CH TRENCH 30V
- RoHS：
否
- 制造商：
STMicroelectronics
- 晶体管极性：
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压：
650 V
- 闸/源击穿电压：
25 V
- 漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
- RDS（导通）：
0.014 Ohms
- 配置：
Single
- 安装风格：
Through Hole
- 封装/箱体：
Max247
- 封装：
Tube
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
恩XP |
24+ |
N/A |
6000 |
原装，正品 |
询价 | ||
恩XP |
25+ |
SOT669 |
32360 |
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恩XP |
2023+ |
SOT-669 |
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恩XP |
21+ |
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恩XP |
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SOT |
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恩XP |
25+ |
SOT669 |
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询价 | ||
恩XP |
25+ |
N/A |
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PHI |
23+ |
SOT669 |
12300 |
询价 | |||
恩XP |
24+ |
N/A |
16000 |
原装正品现货支持实单 |
询价 | ||
恩XP |
ROHS+Original |
NA |
3300 |
专业电子元器件供应链/QQ 350053121 /正纳电子 |
询价 |
