PH3855L中文资料N-channel TrenchMOS logic level FET数据手册Nexperia规格书
PH3855L规格书详情
描述 Description
Logic level N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a plastic package using TrenchMOS technology. This product is designed and qualified for use in computing, communications, consumer and industrial applications only.
技术参数
- 型号：
PH3855L
- 功能描述：
MOSFET N-CH TRENCH 55V
- RoHS：
否
- 制造商：
STMicroelectronics
- 晶体管极性：
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压：
650 V
- 闸/源击穿电压：
25 V
- 漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
- RDS（导通）：
0.014 Ohms
- 配置：
Single
- 安装风格：
Through Hole
- 封装/箱体：
Max247
- 封装：
Tube
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
恩XP |
2023+ |
SOT-669 |
5800 |
进口原装,现货热卖 |
询价 | ||
PHI |
2025+ |
SOT-669 |
5425 |
全新原厂原装产品、公司现货销售 |
询价 | ||
恩XP |
25+ |
SOT669 |
188600 |
全新原厂原装正品现货 欢迎咨询 |
询价 | ||
恩XP |
23+ |
SOT-669 |
13500 |
全新原装正品现货,支持订货 |
询价 | ||
恩XP |
23+ |
SC100 SOT669 |
7000 |
询价 | |||
恩XP |
23+ |
SOT-669 |
6000 |
原装正品，支持实单 |
询价 | ||
恩XP |
2022+ |
SC-100,SOT-669 |
38550 |
全新原装 支持表配单 中国著名电子元器件独立分销 |
询价 | ||
恩XP |
2023+ |
SOT-669 |
8800 |
正品渠道现货 终端可提供BOM表配单。 |
询价 | ||
PHI |
24+ |
NA/ |
1264 |
优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票 |
询价 | ||
恩XP |
10+P |
SOT-669 |
13500 |
深圳原装进口无铅现货 |
询价 |
