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PH1730AL | N-channel TrenchMOS logic level FET 文件：249.84 Kbytes 页数：14 Pages | PHI 飞利浦 | PHI | |
PH1730AL | N-channel TrenchMOS logic level FET | 恩XP | 恩XP | |
MOSFET N-CH 30V 100A LFPAK | Nexperia 安世 | Nexperia | ||
RF & MICROWAVE TRANSISTORS HF SSB APPLICATIONS DESCRIPTION The SD1730 is a 28 V epitaxial silicon NPN planar transistor designed primarily for SSB and VHF communications. The devices utlizes emitter ballasting for improved ruggedness and reliability. ■ OPTIMIZED FOR SSB ■ 30 MHz ■ 28 VOLTS ■ IMD −30dB ■ EFFICIENCY 40 ■ COMMON EMITTER ■ 文件：77.37 Kbytes 页数：6 Pages | STMICROELECTRONICS 意法半导体 | STMICROELECTRONICS | ||
Fixed Frequency Synthesizer 文件：77.68 Kbytes 页数：2 Pages | ZCOMM | ZCOMM | ||
Fixed Frequency Synthesizer 文件：77.51 Kbytes 页数：2 Pages | ZCOMM | ZCOMM |
技术参数
- 技术：
MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）：
30V
- 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：
100A（Tc）
- 不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）：
1.7 毫欧 @ 15A，10V
- 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：
2.15V @ 1mA
- 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）：
77.9nC @ 10V
- 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）：
5057pF @ 12V
- 安装类型：
表面贴装
- 供应商器件封装：
LFPAK56，Power-SO8
- 封装/外壳：
SC-100，SOT-669
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
NEXPERIA/安世 |
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SOT669 |
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