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PH1730AL,115数据手册Nexperia中文资料规格书
技术参数
- 制造商编号
：PH1730AL,115
- 生产厂家
：Nexperia
- 技术
：MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）
：30V
- 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
：100A（Tc）
- 不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）
：1.7 毫欧 @ 15A，10V
- 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
：2.15V @ 1mA
- 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）
：77.9nC @ 10V
- 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）
：5057pF @ 12V
- FET 功能
：-
- 功率耗散（最大值）
：-
- 工作温度
：-
- 安装类型
：表面贴装
- 供应商器件封装
：LFPAK56，Power-SO8
- 封装/外壳
：SC-100，SOT-669
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
NEXPERIA/安世 |
25+ |
SOT669 |
600000 |
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NEXPERIA/安世 |
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恩XP |
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SOT669 |
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Nexperia(安世) |
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SOT-669 |
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NEXPERIA/安世 |
23+ |
SOT669 |
6000 |
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恩XP |
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LFPAK56 |
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