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PH1730AL,115

MOSFET N-CH 30V 100A LFPAK

Nexperia

安世

PH29EE010-150-3CF

DIP-32

SST

Silicon Storage Technology, Inc

上传:飞利飞科技有限公司

PH300S280-28

模块

LAMBDA

电盛兰达

上传:深圳市恒达亿科技有限公司

PH3830DL

SOT-669

恩XP

PH39F040-70P

DIP-32

PHOEBUS

技术参数

  • 技术:

    MOSFET(金属氧化物)

  • 漏源电压(Vdss):

    30V

  • 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):

    100A(Tc)

  • 不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值):

    1.7 毫欧 @ 15A,10V

  • 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):

    2.15V @ 1mA

  • 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值):

    77.9nC @ 10V

  • 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):

    5057pF @ 12V

  • 安装类型:

    表面贴装

  • 供应商器件封装:

    LFPAK56,Power-SO8

  • 封装/外壳:

    SC-100,SOT-669

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
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更多PH1730AL,115供应商 更新时间2026-2-9 19:57:00