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PGA203AG	文件：139.22 Kbytes Page：10 Pages	DigitallyControlledProgrammable-GainINSTRUMENTATIONAMPLIFIER	BURR-BROWN Burr-Brown (TI)	BURR-BROWN
PGA203AG	文件：106.21 Kbytes Page：11 Pages	INSTRUMENTATIONAMPLIFIER	TI1Texas Instruments 德州仪器	TI1
PGA203BG	文件：139.22 Kbytes Page：10 Pages	DigitallyControlledProgrammable-GainINSTRUMENTATIONAMPLIFIER	BURR-BROWN Burr-Brown (TI)	BURR-BROWN
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PGA203KP	文件：139.22 Kbytes Page：10 Pages	DigitallyControlledProgrammable-GainINSTRUMENTATIONAMPLIFIER	BURR-BROWN Burr-Brown (TI)	BURR-BROWN
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PHFM203	文件：629 Kbytes Page：2 Pages	2.0ASurfaceMountHighEffclencyRectifiers-50V-100V	PACELEADERPACELEADER INDUSTRIAL 霈峰霈峰实业有限公司	PACELEADER
PHN203	文件：98.6 Kbytes Page：7 Pages	DualN-channelenhancementmodeTrenchMOStransistor GENERALDESCRIPTION N-channelenhancementmodefield-effectpowertransistorinaplasticenvelopeusing’trench’technology.Thedevicehasverylowon-stateresistance.Itisintendedforuseindctodcconvertersandgeneralpurposeswitchingapplications. ThePHN203issuppliedintheSOT96	PhilipsNXP Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
PHN203	文件：204.1 Kbytes Page：13 Pages	DualN-channelTrenchMOSlogiclevelFET Generaldescription DuallogiclevelN-channelenhancementmodeField-EffectTransistor(FET)inaplasticpackageusingTrenchMOStechnology.Thisproductisdesignedandqualifiedforuseincomputing,communications,consumerandindustrialapplicationsonly. Featuresandbenefits ■Suitable	nxpNXP Semiconductors 恩智浦恩智浦半导体公司	nxp
PHN203	文件：767.02 Kbytes Page：13 Pages	DualN-channelTrenchMOSlogiclevelFET 1.1Generaldescription DuallogiclevelN-channelenhancementmodeField-EffectTransistor(FET)inaplastic packageusingTrenchMOStechnology.Thisproductisdesignedandqualifiedforusein computing,communications,consumerandindustrialapplicationsonly. 1.2Featuresandbenefits	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA

详细参数

型号：
PFB203
制造商：
ROEBUCK
功能描述：
RBK BUTT.SKTSCREW BZP M8X16(PK 200)

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